东京大学&东京工业大学Nature:弱拓扑绝缘态在实验中首次被验证


【引言】

过去十年中,拓扑材料的重大突破,都是由Z2型拓扑绝缘体引发的。Z2型拓扑绝缘体是一种内部绝缘但允许电子在其表面流动的材料。在三维空间中,拓扑绝缘体分为强弱两种,强拓扑绝缘体很快被实验所证实。相比之下,弱拓扑绝缘体(WTI)到目前为止还没有得到实验验证,因为拓扑表面状态只出现在特定的侧端面上,通常在真实的三维晶体中是无法检测到的。
【成果简介】

近日,东京大学Takeshi Kondo和东京工业大学T. Sasagawa团队(共同通讯作者)合作,从实验上证明了碘化铋(β-Bi4I4)中WTI态的存在。值得注意的是,这种晶体通过范德华力堆叠,具有明显的自然劈裂的上端面和侧端面,这对实验上实现WTI态十分有利。作为WTI态的一个确定标志,在侧端面(100)发现准一维狄拉克拓扑表面态,而在上端面(001)面没有发现拓扑表面态。此外,进一步发现在接近室温下,从β相到α相的晶体转变驱动了从非平凡的WTI到普通绝缘体的拓扑相变。弱拓扑相可以被看作是三维堆积方向上的量子自旋霍尔(QSH)绝缘体,将为高度定向的和密集的自旋电流技术奠定基础。相关研究成果以“A weak topological insulator state in quasi-one-dimensional bismuth iodide”为题发表在Nature上。

【图文导读】

α-Bi4I4和β-Bi4I4的晶体结构、传递和能带拓扑计算

(a,b)从沿b轴的链方向看α相(a)和β相(b)的晶体结构;

(c,d)晶体电阻率沿链方向(ρb)随温度的变化关系,在(d)中,晶体温度以3K/ min的速率缓慢变化,观察到了滞后现象,揭示了α-Bi4I4和β-Bi4I4之间的相变;

(e) 展示Brillouin区域的β相的表面,显示了文中讨论的点和轴;

(f)通过广义梯度近似(GGA;灰色)和GGA加上修正的Becke-Johnson交换势(mBJ;绿色)获得的无自旋轨道耦合(SOC)的β相的DFT计算;

(g)包含SOC的β相的反转。红色圆和蓝色圆分别标记M和L点处体带的偶平度(Ag,对应于波函数的不可约)和奇平度(Bu)。通过改变mBJ中的参数来调整间隙大小。Ni代表普通绝缘子;

(h-k)实际空间中β-Bi4I4的TSS示意图及其在WTI相(h,i)和STI相(j,k)的倒易空间中的能带色散关系。

(l-o)计算了WTI相(l,m)和STI相(n,o)沿不同的高对称线(e中的红色和黄色双头箭头)在侧面(100)上的TSS色散。颜色比例表示为曲面计算的光谱权重。

、β-Bi4I4的两个裂解(a)β-Bi4I4样品的典型(近似)尺寸;

(b)裂解表面的扫描电镜和激光显微图像(c),黑色圆圈表示在我们在角分辨光电子能谱(ARPES)实验中使用的激光光斑的典型大小(图3);

(d)裂解后β-Bi4I4晶体在ARPES实验中的GISAXS测量,样品的链方向(b轴)与入射X射线平行排列,与β-Bi4I4的(001)面和(100)面之间的夹角一致,裂解样品的幅度和平面上产生的两个强X射线反射相距约72°。

、通过激光-ARPES测量α-Bi4I4和β-Bi4I4的实验能带结构(a)激光ARPES的几何实验图像,收集了不同发射角度的光电子,θ相对于上端面(001);

(b,c)分别表示在费米能Ef中α-Bi4I4和β-Bi4I4的光电子强度分布,强度集中在40meV内,黑色和红色虚线表示在Brillouin区域上端(001)面和侧端(100)面;

(d-m)在不同θ值下,α相(d-g)和β相(h-m)的APRES带状图,在(f)中,发现α相价带中的双层分裂与密度泛函理论计算是一致的,在(j)中未观察到β相,L和m表示沿(100)面Brillouin区域的Z-点(c中的黄色箭头)和Γ-点(c中的红色箭头)切割的高对称线的ARPES带映射;

(n)在θ=49°时,(100)面内自旋分量(即z自旋分量)的自旋分辨光电子强度和对应的自旋极化(Pz)(o)。测量的Ky点由(I)中的红色标记指示。上自旋强度(Iup)和下自旋强度(Idown)(或极化)分别用红色和蓝色标记表示。

、Hv=85eV时β-Bi4I4的表面选择性纳米ARPES(a)表面选择性纳米ARPES在β-Bi4I4的侧端面(100)的几何示意图;

(b)左侧,由光学显微镜拍摄的被测样品实物图像,中间,光电发射强度图,右侧,放大图像,白色圆圈表示进行表面选择性ARPES实验的位置;

(c)表面选择性纳米ARPES在(001)面的几何示意图;

(d,e)分别表示在费米能Ef在侧面和顶部的光电子强度分布,强度集中在100meV内,没有样品旋转的情况下,并利用光电分析仪的电子偏转器的特性进行收集,(100)面红色虚线表示(d)和(001)面黑色虚线表示(e);

(f-i)在(100)面的Γ-和Z-点处的Ef值处的ARPES带映射和动量分布曲线(MDCs)(蓝色曲线);(f)和(h)中的黑色虚线是拟合MDCs中两个峰结构的Lorentzian曲线,它们的峰值位置由(f)和(h)中的红条表示;

(j,k)在(001)面Γ-点的ARPES图像(j)和在Ef处的MDCs(k)。

【小结】

在作者看来,弱拓扑绝缘体可能具有几种不同的科学技术含义。这一弱拓扑绝缘态被认为与QSH绝缘体在三维上类似,其可以在三维晶体的宽侧表面上产生高度定向的自旋电流,这一发现有助于促进对奇异量子现象的进一步研究。此外,Bi4I4具有出色的功能,通过选择拓扑或非拓扑晶相,可以将自旋电流的出现控制在室温附近,从而可能会导致新型自旋电子技术的出现。

文献链接:“A weak topological insulator state in quasi-one-dimensional bismuth iodide”(Nature.DOI:10.1038/s41586-019-0927-7)

本文由材料人编辑部学术组CYM编译供稿,欧洲足球赛事 整理编辑。

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